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IDT6168L100DC

更新时间: 2024-10-02 19:32:31
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 402K
描述
Standard SRAM, 4KX4, 100ns, CMOS, CDIP20

IDT6168L100DC 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.92最长访问时间:100 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDIP-T20
JESD-609代码:e0内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
端子数量:20字数:4096 words
字数代码:4000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:4KX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP20,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:5 V
认证状态:Not Qualified子类别:SRAMs
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:6Base Number Matches:1

IDT6168L100DC 数据手册

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