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ID82C55A/+

更新时间: 2024-11-05 20:33:31
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瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
26页 1536K
描述
ID82C55A/+

ID82C55A/+ 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.91
Is Samacsys:NJESD-30 代码:R-XDIP-T40
JESD-609代码:e0端子数量:40
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP40,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE电源:5 V
子类别:Parallel IO Port最大压摆率:8 mA
标称供电电压:5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

ID82C55A/+ 数据手册

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