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ICTE-45

更新时间: 2024-11-15 22:48:15
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管
页数 文件大小 规格书
2页 75K
描述
TRANSIENT ABSORPTION ZENER

ICTE-45 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-PALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.31
Is Samacsys:N最小击穿电压:52.9 V
击穿电压标称值:53 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:70 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:5 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:45 V最大反向电流:2 µA
子类别:Transient Suppressors表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

ICTE-45 数据手册

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