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ICTE-5

更新时间: 2024-11-15 22:48:15
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 75K
描述
TRANSIENT ABSORPTION ZENER

ICTE-5 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-PALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.16
最小击穿电压:6 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:7.5 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:5 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:5 V最大反向电流:300 µA
子类别:Transient Suppressors表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

ICTE-5 数据手册

 浏览型号ICTE-5的Datasheet PDF文件第2页 

ICTE-5 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N6373 TAITRON

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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