Datasheet > ICTE-5/4

ICTE-5/4

更新时间： 2024-09-25 19:51:15

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
3页	56K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC, 1.5KE, 2 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

ICTE-5/4 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.45	最小击穿电压：	6 V
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	最大非重复峰值反向功率耗散：	1500 W
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	6.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

ICTE-5/4 数据手册

ICTE5.0 thru ICTE15C Series

TRANSZORB^®Transient Voltage Suppressor

Stand Off Voltage 5.0 to 15V

Peak Pulse Power 1500W

Features

Case Style 1.5KE

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-0

• Glass passivated junction

•

1500W peak pulse power capabililty with a 10/1000µs

waveform, repetition rate (duty cycle): 0.05%

1.0 (25.4)

• Excellent clamping capability

MIN.

• Low incremental surge resistance

• Very fast response time

• Ideal for data and bus line applications

• High temperature soldering guaranteed:

265^OC/10 seconds, 0.375” (9.5mm) lead length,

5lbs. (2.3 kg) tension

0.210 (5.3)

0.190 (4.8)

DIA.

0.375 (9.5)

0.285 (7.2)

• Includes 1N6373 thru 1N6385

Mechanical Data

Case: Molded plastic body over passivated junction

Terminals: Plated axial leads, solderable per MIL-

STD-750, Method 2026

1.0 (25.4)

MIN.

Polarity: For unidirectional types the color band

denotes the cathode, which is positive with respect

to the anode under normal TVS operation

0.042 (1.07)

0.038 (0.96)

DIA.

Mounting Position: Any

Weight: 0.045oz., 1.2g

Packaging codes/options:

Dimensions in inches and (millimeters)

1/1K per Bulk Box, 11K/box

4/1.4K per 13” Reel (52mm Tape), 4.2K/box

Maximum Ratings and Thermal Characteristics(T_A= 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Limit

Minimum 1500

See Table 1 & 2

6.5

Unit

Peak pulse power dissipation with a 10/1000µs waveform

(Note 1, Fig. 1)

P_PPM

Peak pulse current wih a 10/1000µs waveform (Note 1, Fig 3)

I_PPM

Steady state power dissipation,

T_L= 75^OC, at lead lengths 0.375” (9.5mm)

P_M(AV)

Peak forward surge current, 8.3ms

single half sine-wave superimposed on rated load

for unidirectional only (JEDEC Method) (Note 2)

I_FSM

200

Maximum instantaneous forward voltage

at 100A for unidirectional only

V_F

3.5

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

–55 to +175

^OC

Notes: (1) Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T_A= 25°C per Fig. 2

(2) 8.3ms single half sine-wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum

7/6/00

12 3

中文翻译

下载PDF

ICTE-5/4 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
1N5908G	ONSEMI	类似代替	1500 Watt Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors
1.5KE6V8A	STMICROELECTRONICS	类似代替	TRANSILTM
1N5908	STMICROELECTRONICS	类似代替	TRANSILTM

与ICTE-5/4相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ICTE-5/4E	VISHAY	获取价格	DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Su
ICTE-5/4-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, 1.5KE, 2 PIN, Transient Suppres
ICTE-5/4E-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Su
ICTE-5/4F	VISHAY	获取价格	暂无描述
ICTE-5/4F-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Su
ICTE-5/4G	VISHAY	获取价格	DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Su
ICTE-5/4G-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Su
ICTE-5/4H	VISHAY	获取价格	DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Su
ICTE-5/4H-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Su
ICTE-5/51	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLAS

与ICTE-5/4相关文章

SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

11
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

14
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

81
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

72

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ICTE-5/4

ICTE-5/4 技术参数

ICTE-5/4 数据手册

ICTE-5/4 替代型号

与ICTE-5/4相关器件

与ICTE-5/4相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ICTE-5/4

ICTE-5/4 技术参数

ICTE-5/4 数据手册

ICTE-5/4 替代型号

与ICTE-5/4相关器件

与ICTE-5/4相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？