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IC41LV16105S-50TI PDF预览

IC41LV16105S-50TI

更新时间： 2024-01-15 14:38:38
品牌 Logo 应用领域
矽成 - ICSI 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
18页 199K
描述
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE

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IC41LV16105S-50TI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：0.400 INCH, TSOP2-50/44Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.83访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：50 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e0内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：1
端子数量：44字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：1MX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：TSOP44/50,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：1024
自我刷新：YES最大待机电流：0.0005 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

IC41LV16105S-50TI 数据手册

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IC41C16105S  
IC41LV16105S  
AC CHARACTERISTICS(1,2,3,4,5,6)  
(Recommended Operating Conditions unless otherwise noted.)  
-50  
Min. Max.  
-60  
Min. Max.  
Symbol  
Parameter  
Units  
tRC  
Random READ or WRITE Cycle Time  
Access Time from RAS(6, 7)  
Access Time from CAS(6, 8, 15)  
Access Time from Column-Address(6)  
RAS Pulse Width  
84  
—
—
—
50  
30  
8
—
50  
13  
2
104  
—
—
60  
15  
ns  
ns  
ns  
tRAC  
tCAC  
tAA  
—
5
—
30  
ns  
tRAS  
tRP  
10K  
—
60  
40  
10  
9
10K  
—
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
RAS Precharge Time  
CAS Pulse Width(26)  
CAS Precharge Time(9, 25)  
CAS Hold Time (21)  
RAS to CAS Delay Time(10, 20)  
Row-Address Setup Time  
Row-Address Hold Time  
Column-Address Setup Time(20)  
Column-Address Hold Time(20)  
tCAS  
tCP  
10K  
—
10K  
—
9
tCSH  
tRCD  
tASR  
tRAH  
tASC  
tCAH  
tAR  
38  
1237  
0
—
40  
—
14  
45  
ns  
—
—
—
—
—
0
—
—
—
—
—
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
8
10  
0
0
8
10  
40  
Column-Address Hold Time  
(referenced to RAS)  
30  
tRAD  
tRAL  
tRPC  
tRSH  
tRHCP  
tCLZ  
tCRP  
tOD  
RAS to Column-Address Delay Time(11)  
Column-Address to RAS Lead Time  
RAS to CAS Precharge Time  
RAS Hold Time(27)  
10  
25  
5
25  
—
—
—
—
—
—
15  
13  
—
—
—
—
—
—
12  
30  
5
30  
—
—
—
—
—
—
15  
15  
—
—
—
—
—
—
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
8
10  
37  
0
RAS Hold Time from CAS Precharge  
CAS to Output in Low-Z(15, 29)  
CAS to RAS Precharge Time(21)  
Output Disable Time(19, 28, 29)  
37  
0
5
5
3
3
tOE  
Output Enable Time(15, 16)  
—
20  
5
—
20  
5
tOED  
tOEHC  
tOEP  
tOES  
tRCS  
tRRH  
Output Enable Data Delay (Write)  
OE HIGH Hold Time from CAS HIGH  
OE HIGH Pulse Width  
10  
5
10  
5
OE LOW to CAS HIGH Setup Time  
Read Command Setup Time(17, 20)  
0
0
Read Command Hold Time  
(referenced to RAS)(12)  
0
0
tRCH  
Read Command Hold Time  
(referenced to CAS)(12, 17, 21)  
0
—
0
—
ns  
tWCH  
tWCR  
Write Command Hold Time(17, 27)  
8
—
—
10  
50  
—
—
ns  
ns  
Write Command Hold Time  
(referenced to RAS)(17)  
40  
tWP  
Write Command Pulse Width(17)  
8
10  
13  
8
—
—
—
—
—
—
10  
10  
15  
10  
0
—
—
—
—
—
—
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
tWPZ  
tRWL  
tCWL  
tWCS  
tDHR  
WE Pulse Widths to Disable Outputs  
Write Command to RAS Lead Time(17)  
Write Command to CAS Lead Time(17, 21)  
Write Command Setup Time(14, 17, 20)  
Data-in Hold Time (referenced to RAS)  
0
39  
39  
Integrated Circuit Solution Inc.  
DR011-0A 05/23/2001  
7
1...45678910...18

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