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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | 0.400 INCH, TSOP2-50/44 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.83 | 访问模式： | FAST PAGE |
| 最长访问时间： | 50 ns | 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 44 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 1MX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | TSOP44/50,.46,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 1024 |
| 自我刷新： | YES | 最大待机电流： | 0.0005 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.16 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IC41LV16105S-60K | ICSI | 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE |
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| IC41LV16105S-60K | ISSI | Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42 |
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| IC41LV16105S-60KI | ICSI | 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE |
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| IC41LV16105S-60KI | ISSI | Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42 |
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| IC41LV16105S-60T | ICSI | 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE |
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| IC41LV16105S-60T | ISSI | Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, |
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