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IC41LV16105-50KI PDF预览

IC41LV16105-50KI

更新时间： 2024-02-20 11:01:04
品牌 Logo 应用领域
矽成 - ICSI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 188K
描述
Fast Page DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42,

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IC41LV16105-50KI 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：0.400 INCH, SOJ-42Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.83Is Samacsys：N
访问模式：FAST PAGE最长访问时间：50 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J42JESD-609代码：e0
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：42
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ42,.44
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：1024自我刷新：NO
最大待机电流：0.0005 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.16 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

IC41LV16105-50KI 数据手册

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IC41C16105  
IC41LV16105  
AC CHARACTERISTICS(1,2,3,4,5,6)  
(Recommended Operating Conditions unless otherwise noted.)  
-50  
Min. Max.  
-60  
Min. Max.  
Symbol  
Parameter  
Units  
tRC  
Random READ or WRITE Cycle Time  
Access Time from RAS(6, 7)  
Access Time from CAS(6, 8, 15)  
Access Time from Column-Address(6)  
RAS Pulse Width  
84  
—
—
—
50  
30  
8
—
50  
13  
2
104  
—
—
60  
15  
ns  
ns  
ns  
tRAC  
tCAC  
tAA  
—
5
—
30  
ns  
tRAS  
tRP  
10K  
—
60  
40  
10  
9
10K  
—
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
RAS Precharge Time  
CAS Pulse Width(26)  
CAS Precharge Time(9, 25)  
CAS Hold Time (21)  
RAS to CAS Delay Time(10, 20)  
Row-Address Setup Time  
Row-Address Hold Time  
Column-Address Setup Time(20)  
Column-Address Hold Time(20)  
tCAS  
tCP  
10K  
—
10K  
—
9
tCSH  
tRCD  
tASR  
tRAH  
tASC  
tCAH  
tAR  
38  
1237  
0
—
40  
—
14  
45  
ns  
—
—
—
—
—
0
—
—
—
—
—
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
8
10  
0
0
8
10  
40  
Column-Address Hold Time  
(referenced to RAS)  
30  
tRAD  
tRAL  
tRPC  
tRSH  
tRHCP  
tCLZ  
tCRP  
tOD  
RAS to Column-Address Delay Time(11)  
Column-Address to RAS Lead Time  
RAS to CAS Precharge Time  
RAS Hold Time(27)  
10  
25  
5
25  
—
—
—
—
—
—
15  
13  
—
—
—
—
—
—
12  
30  
5
30  
—
—
—
—
—
—
15  
15  
—
—
—
—
—
—
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
8
10  
37  
0
RAS Hold Time from CAS Precharge  
CAS to Output in Low-Z(15, 29)  
CAS to RAS Precharge Time(21)  
Output Disable Time(19, 28, 29)  
37  
0
5
5
3
3
tOE  
Output Enable Time(15, 16)  
—
20  
5
—
20  
5
tOED  
tOEHC  
tOEP  
tOES  
tRCS  
tRRH  
Output Enable Data Delay (Write)  
OE HIGH Hold Time from CAS HIGH  
OE HIGH Pulse Width  
10  
5
10  
5
OE LOW to CAS HIGH Setup Time  
Read Command Setup Time(17, 20)  
0
0
Read Command Hold Time  
(referenced to RAS)(12)  
0
0
tRCH  
Read Command Hold Time  
(referenced to CAS)(12, 17, 21)  
0
—
0
—
ns  
tWCH  
tWCR  
Write Command Hold Time(17, 27)  
8
—
—
10  
50  
—
—
ns  
ns  
Write Command Hold Time  
(referenced to RAS)(17)  
40  
tWP  
Write Command Pulse Width(17)  
8
10  
13  
8
—
—
—
—
—
—
10  
10  
15  
10  
0
—
—
—
—
—
—
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
tWPZ  
tRWL  
tCWL  
tWCS  
tDHR  
WE Pulse Widths to Disable Outputs  
Write Command to RAS Lead Time(17)  
Write Command to CAS Lead Time(17, 21)  
Write Command Setup Time(14, 17, 20)  
Data-in Hold Time (referenced to RAS)  
0
39  
39  
Integrated Circuit Solution Inc.  
DR014-0A 06/07/2001  
S2-7  
1...45678910...18

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