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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | 0.400 INCH, SOJ-42 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.83 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | FAST PAGE | 最长访问时间： | 50 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J42 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 42 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 1MX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装等效代码： | SOJ42,.44 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 1024 | 自我刷新： | NO |
| 最大待机电流： | 0.0005 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.16 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IC41LV16105-50T | ISSI | Fast Page DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44 |
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| IC41LV16105-50T | ICSI | Fast Page DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44, |
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| IC41LV16105-50TI | ISSI | Fast Page DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44 |
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| IC41LV16105-60K | ICSI | Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, |
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| IC41LV16105-60KI | ETC | 1M X 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE |
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| IC41LV16105-60T | ISSI | Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44 |
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