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IC41C16100AS-60K

更新时间： 2024-02-21 12:12:20

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矽成 - ICSI		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
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1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

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IC41C16100AS-60K 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	0.400 INCH, TSOP2-50/44	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	访问模式：	EDO PAGE
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	44	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	TSOP44/50,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.145 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

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IC41C16100A/IC41C16100AS

IC41LV16100A/IC41LV16100AS

EDO-PAGE-MODE READ-EARLY-WRITE CYCLE (Psuedo READ-MODIFY WRITE)

RASP

RAS

CSH

tPC

RSH

CRP

RCD

CAS

tCP

UCAS/LCAS

ASR

RAD

RAL

ASC

CAH

ASC

CAH

ASC

tCAH

RAH

ADDRESS

Row

Column (A)

Column (B)

Column (N)

Row

RCS

RCH

WCS

tWCH

WHZ

CPA

CAC

COH

RAC

CAC

tDH

Open

I/O

Valid Data (A)

Valid Data (B)

DIN

Don’t Care

Integrated Circuit Solution Inc.

DR030-0A 09/28/2001

1...14 15 161718 19 20 21

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