Datasheet > IBM11S2320NP-60T

IBM11S2320NP-60T

更新时间： 2024-10-28 20:23:55

品牌	Logo	应用领域
国际商业机器公司 - IBM		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	363K
描述
Fast Page DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS, DIMM-72

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IBM11S2320NP-60T 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM72	针数：	72
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	备用内存宽度：	16
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N72
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	72
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM72
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	25.4 mm
自我刷新：	YES	子类别：	DRAMs
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...19

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IBM11S2320NP-70T	IBM	获取价格	Fast Page DRAM Module, 2MX32, 70ns, CMOS, DIMM-72
IBM11S2325HM-60T	IBM	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS
IBM11S2325HM-6RT	IBM	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS
IBM11S2325HM-70T	IBM	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX32, 70ns, CMOS
IBM11S2325HMB-60	ETC	获取价格	x32 EDO Page Mode DRAM Module
IBM11S2325HMB-70	ETC	获取价格	x32 EDO Page Mode DRAM Module
IBM11S2325HP-60T	IBM	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS
IBM11S2325HP-6RT	IBM	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS
IBM11S2325HP-70T	IBM	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX32, 70ns, CMOS
IBM11S2325HPB-60	ETC	获取价格	x32 EDO Page Mode DRAM Module