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IBM11S2325HM-60T

更新时间： 2024-10-28 20:19:19

品牌	Logo	应用领域
国际商业机器公司 - IBM		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	209K
描述
EDO DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS

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IBM11S2325HM-60T 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DIMM, DIMM72
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N72	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	72	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM72	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	2048
座面最大高度：	25.4 mm	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.0008 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.36 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

IBM11S2325HM-60T 数据手册

IBM11S2320NL2M

x 3212/8, 5.0V, Au. IBM11S2320NN2M x 3212/8, 3.3V, Au.

IBM11S2325HP IBM11S4325HP

IBM11S2325HM IBM11S4325HM

2M/4M x 32 SO DIMM Module

Features

• 72-Pin Small Outline Dual-In-Line

Memory Module

• Performance:

• High Performance CMOS process

• Single 3.3 ± 0.3V or 5.0 ± 0.25V Power Supply

• Low active current consumption

• All inputs & outputs are LVTTL(3.3V) or TTL(5V)

compatible

• Extended Data Out (EDO) access cycle

• Refresh Modes: RAS-Only, CBR, Hidden and

Self Refresh

• 2048 refresh cycles distributed across 128ms

• 11/10 Addressing (Row/Column)

• Optimized for use in byte-write non-parity appli-

cations.

-60

-6R

-70

t_RAC

t_CAC

t_AA

RAS Access Time

CAS Access Time

60ns 60ns 70ns

15ns 17ns 20ns

Access Time From Address 30ns 30ns 35ns

t_RC

Cycle Time

104ns 104ns 124ns

25ns 25ns 30ns

t_HPC

EDO Mode Cycle Time

• Au contacts

Description

The IBM11S4325HP/M are 16MB industry standard

72-pin 4-byte small outline dual in-line memory mod-

ules (SO DIMMs). The modules are organized as

4Mx32 high speed memory arrays that are intended

for use in 16, 32 and 64 bit applications. They are

manufactured with eight 2Mx8 TSOP devices, each

in a 400mil package. The IBM11S1325HP/M are

8MB half populated versions, manufactured with

four 2Mx8 TSOP devices.

60/6Rns sort). The use of TSOP packages allows

for tight DIMM spacing (.3” on center). Input loading

is consistent with 4Mb-based assemblies due to the

addition of discrete capacitors maximizing compati-

bility at the system level.

These assemblies are intended for use in space

constrained and/or low power applications.

The IBM 72-Pin SO DIMMs provide a high perfor-

mance, flexible 4-byte interface in a 2.35” long foot-

print.

The use of EDO DRAMs allows for a reduction in

cycle time from 40ns (Fast Page) to 25ns (EDO,

Card Outline

Detail A

See Detail A

for 5.0V version

(Front) 1

(Back) 2

Use is further subject to the provisions at the end of this document.

75H1718

SA14-4471-00

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IBM11S2325HMB-60	ETC	获取价格	x32 EDO Page Mode DRAM Module
IBM11S2325HMB-70	ETC	获取价格	x32 EDO Page Mode DRAM Module
IBM11S2325HP-60T	IBM	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS
IBM11S2325HP-6RT	IBM	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS
IBM11S2325HP-70T	IBM	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX32, 70ns, CMOS
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