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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | BGA, BGA119,7X17,50 | 针数： | 119 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 6 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B119 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 22 mm | 内存密度： | 4718592 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 36 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 119 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 110 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 128KX36 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA | 封装等效代码： | BGA119,7X17,50 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 2.576 mm | 最大待机电流： | 0.12 A |
| 最小待机电流： | 3.14 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.5 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.47 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 14 mm |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IBM04364ARLAA-6P | ETC | x36 Fast Synchronous SRAM |
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| IBM04364ARLAD-6F | IBM | Standard SRAM, 128KX36, 6.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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| IBM04364ARLAD-6N | IBM | Standard SRAM, 128KX36, 7ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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| IBM04364BSLAA-7 | ETC | x36 Synchronous SRAM |
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| IBM04364BSLAC-7 | IBM | Standard SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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| IBM04364BSLAD-7(D) | IBM | Standard SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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