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IBM0117805MT3-60

更新时间： 2024-02-19 19:46:34

品牌	Logo	应用领域
国际商业机器公司 - IBM		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
30页	334K
描述
EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 X 0.725 INCH, TSOP2-28

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IBM0117805MT3-60 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP2, TSOP28,.46
针数：	28	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	JESD-609代码：	e0
长度：	18.41 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP28,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	2048	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.0002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

IBM0117805MT3-60 数据手册

IBM01178052M

x 811/10, 5.0V, EDO. IBM0117805P2M x 811/10, 3.3V, EDO, LP, SR. IBM0117805M2M x 811/10, 5.0V, EDO, LP, SR. IBM0117805B2M x 811/10, 3.3V, EDO.

IBM0117805 IBM0117805M

IBM0117805B IBM0117805P

2M x 8 11/10 EDO DRAM

Features

• Low Power Dissipation

• 2,097,152 word by 8 bit organization

- Active (max) - 100 mA / 90 mA / 80 mA

- Standby: TTL Inputs (max) - 1.0 mA

- Standby: CMOS Inputs (max)

- 1.0 mA (SP version)

• Single 3.3V ± 0.3V or 5.0V ± 0.5V power supply

• Standard Power (SP) and Low Power (LP)

- 0.2 mA (LP version)

- Self Refresh (LP version only)

- 200µA (3.3 Volt)

• 2048 Refresh Cycles

- 32 ms Refresh Rate (SP version)

- 128 ms Refresh Rate (LP version)

- 300µA (5.0 Volt)

• High Performance:

• Extended Data Out (Hyper Page) Mode

• Read-Modify-Write

-50 -60 -6R -70 Units

t_RAC

t_CAC

t_AA

RAS Access Time

CAS Access Time

50 60 60 70

13 15 17 20

• RAS Only and CAS before RAS Refresh

• Hidden Refresh

Column Address Access Time 25 30 30 35

t_RC

Cycle Time

84 104 104 124 ns

20 25 25 30 ns

• Package: TSOP-II 28 (400milx725mil)

EDO (Hyper Page) Mode

Cycle Time

t_HPC

Description

The IBM0117805 is a dynamic RAM organized

2,097,152 words by 8 bits, which has a very low

“sleep mode” power consumption option. These

devices are fabricated in IBM’s advanced 0.5µm

CMOS silicon gate process technology. The circuit

and process have been carefully designed to pro-

vide high performance, low power dissipation, and

high reliability. The devices operate with a single

3.3V ± 0.3V or 5.0V ± 0.5V power supply. The 21

addresses required to access any bit of data are

multiplexed (11 are strobed with RAS, 10 are

strobed with CAS).

Pin Assignments (Top View)

Pin Description

RAS

CAS

Row Address Strobe

Column Address Strobe

Read/Write Input

Address Inputs

Vcc

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

RAS

A10

Vss

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

CAS

A0 - A10

Output Enable

I/O0 - I/O7

V_CC

Data Input/Output

Power (+3.3V or +5.0V)

Ground

V_SS

Vss

Vcc

Use is further subject to the provisions at the end of this document.

28H4724

SA14-4221-04

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IBM0117805PT350	IBM	获取价格	2MX8 EDO DRAM, 50ns, PDSO28, 0.400 X 0.725 INCH, TSOP2-28
IBM0117805PT360	IBM	获取价格	2MX8 EDO DRAM, 60ns, PDSO28, 0.400 X 0.725 INCH, TSOP2-28
IBM0117805PT3-6R	IBM	获取价格	EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 X 0.725 INCH, TSOP2-28
IBM0117805PT370	IBM	获取价格	2MX8 EDO DRAM, 70ns, PDSO28, 0.400 X 0.725 INCH, TSOP2-28
IBM0117805PT3-70	IBM	获取价格	EDO DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 X 0.725 INCH, TSOP2-28
IBM0117805T350	IBM	获取价格	2MX8 EDO DRAM, 50ns, PDSO28, 0.400 X 0.725 INCH, TSOP2-28
IBM0117805T3-50	IBM	获取价格	EDO DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.400 X 0.725 INCH, TSOP2-28
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