是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP |
包装说明: | TSOP2, | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.4 |
访问模式: | FAST PAGE WITH EDO | 最长访问时间: | 70 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH | JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 18.41 mm |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | EDO DRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 2097152 words | 字数代码: | 2000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 2MX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 2048 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IBM0117805PT3-70 | IBM |
获取价格 |
EDO DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 X 0.725 INCH, TSOP2-28 | |
IBM0117805T350 | IBM |
获取价格 |
2MX8 EDO DRAM, 50ns, PDSO28, 0.400 X 0.725 INCH, TSOP2-28 | |
IBM0117805T3-50 | IBM |
获取价格 |
EDO DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.400 X 0.725 INCH, TSOP2-28 | |
IBM0117805T3-6R | IBM |
获取价格 |
EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 X 0.725 INCH, TSOP2-28 | |
IBM0117805T370 | IBM |
获取价格 |
2MX8 EDO DRAM, 70ns, PDSO28, 0.400 X 0.725 INCH, TSOP2-28 | |
IBM0117805T3-70 | ETC |
获取价格 |
x8 EDO Page Mode DRAM | |
IBM0118160BJ3-70 | IBM |
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Fast Page DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42 | |
IBM0118160BT3-70 | IBM |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.825 INCH, TSOP2-50/44 | |
IBM0118160BT3-80 | IBM |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.825 INCH, TSOP2-50/44 | |
IBM0118160J3-70 | IBM |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42 |