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IBM0117805T3-6R

更新时间： 2024-01-31 11:55:02
品牌 Logo 应用领域
国际商业机器公司 - IBM 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
30页 334K
描述
EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 X 0.725 INCH, TSOP2-28

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IBM0117805T3-6R 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：TSOP2, TSOP28,.46针数：28
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.4
Is Samacsys：N访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：60 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G28
JESD-609代码：e0长度：18.41 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：28
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2MX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP28,.46
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：2048
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：NO
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.09 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

IBM0117805T3-6R 数据手册

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IBM01178052M  
x 811/10, 5.0V, EDO. IBM0117805P2M x 811/10, 3.3V, EDO, LP, SR. IBM0117805M2M x 811/10, 5.0V, EDO, LP, SR. IBM0117805B2M x 811/10, 3.3V, EDO.  
IBM0117805 IBM0117805M  
IBM0117805B IBM0117805P  
2M x 8 11/10 EDO DRAM  
Features  
• Low Power Dissipation  
• 2,097,152 word by 8 bit organization  
- Active (max) - 100 mA / 90 mA / 80 mA  
- Standby: TTL Inputs (max) - 1.0 mA  
- Standby: CMOS Inputs (max)  
- 1.0 mA (SP version)  
• Single 3.3V ± 0.3V or 5.0V ± 0.5V power supply  
• Standard Power (SP) and Low Power (LP)  
- 0.2 mA (LP version)  
- Self Refresh (LP version only)  
- 200µA (3.3 Volt)  
• 2048 Refresh Cycles  
- 32 ms Refresh Rate (SP version)  
- 128 ms Refresh Rate (LP version)  
- 300µA (5.0 Volt)  
• High Performance:  
• Extended Data Out (Hyper Page) Mode  
• Read-Modify-Write  
-50 -60 -6R -70 Units  
tRAC  
tCAC  
tAA  
RAS Access Time  
CAS Access Time  
50 60 60 70  
13 15 17 20  
ns  
ns  
ns  
• RAS Only and CAS before RAS Refresh  
• Hidden Refresh  
Column Address Access Time 25 30 30 35  
tRC  
Cycle Time  
84 104 104 124 ns  
20 25 25 30 ns  
• Package: TSOP-II 28 (400milx725mil)  
EDO (Hyper Page) Mode  
Cycle Time  
tHPC  
Description  
The IBM0117805 is a dynamic RAM organized  
2,097,152 words by 8 bits, which has a very low  
“sleep mode” power consumption option. These  
devices are fabricated in IBM’s advanced 0.5µm  
CMOS silicon gate process technology. The circuit  
and process have been carefully designed to pro-  
vide high performance, low power dissipation, and  
high reliability. The devices operate with a single  
3.3V ± 0.3V or 5.0V ± 0.5V power supply. The 21  
addresses required to access any bit of data are  
multiplexed (11 are strobed with RAS, 10 are  
strobed with CAS).  
Pin Assignments (Top View)  
Pin Description  
RAS  
CAS  
Row Address Strobe  
Column Address Strobe  
Read/Write Input  
Address Inputs  
1
2
3
4
5
6
7
28  
27  
26  
25  
24  
Vcc  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
WE  
RAS  
NC  
A10  
A0  
A1  
A2  
A3  
Vss  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
CAS  
OE  
A9  
A8  
A7  
A6  
A5  
WE  
A0 - A10  
OE  
Output Enable  
I/O0 - I/O7  
VCC  
Data Input/Output  
Power (+3.3V or +5.0V)  
Ground  
23  
22  
21  
20  
19  
8
9
VSS  
10  
11  
12  
13  
14  
18  
17  
16  
15  
A4  
Vss  
Vcc  
©IBM Corporation. All rights reserved.  
Use is further subject to the provisions at the end of this document.  
28H4724  
SA14-4221-04  
Revised 11/96  
Page 1 of 29  
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
IBM0117805T370 IBM 2MX8 EDO DRAM, 70ns, PDSO28, 0.400 X 0.725 INCH, TSOP2-28

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IBM0117805T3-70 ETC x8 EDO Page Mode DRAM

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