5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IBM0118160BT3-70
IBM0118160BT3-70 PDF预览

IBM0118160BT3-70

更新时间： 2024-02-04 05:58:42
品牌 Logo 应用领域
国际商业机器公司 - IBM 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
27页 280K
描述
Fast Page DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.825 INCH, TSOP2-50/44

阅读下载

中文翻译

获取价格

IBM0118160BT3-70 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2, TSOP44/50,.46,32针数：50
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.92
访问模式：FAST PAGE最长访问时间：70 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e0
长度：20.95 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：1
端子数量：44字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP44/50,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：1024座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：NO最大待机电流：0.001 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

IBM0118160BT3-70 数据手册

 浏览型号IBM0118160BT3-70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IBM0118160BT3-70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IBM0118160BT3-70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IBM0118160BT3-70的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IBM0118160BT3-70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IBM0118160BT3-70的Datasheet PDF文件第7页 
IBM0118160 1M  
x 1610/10, 5.0V. IBM0118160P1M x 1610/10, 3.3V, LP, SR. IBM0118160M 1M x 1610/10, 5.0V, LP, SR. IBM0118160B1M x 1610/10, 3.3V.  
IBM0118160 IBM0118160M  
IBM0118160B IBM0118160P  
1M x 16 10/10 DRAM  
Features  
• Low Power Dissipation  
• 1,048,576 word by 16 bit organization  
- Active (max) - 185 mA / 160 mA / 140 mA  
- Standby: TTL Inputs (max) - 2.0 mA  
- Standby: CMOS Inputs (max)  
- 1.0 mA (SP version)  
• Single 3.3V ± 0.3V or 5.0V ± 0.5V power supply  
• Standard Power (SP) and Low Power (LP)  
- 0.2 mA (LP version)  
- Self Refresh (LP version only)  
- 200µA (3.3 Volt)  
• 1024 Refresh Cycles  
- 16 ms Refresh Rate (SP version)  
- 128 ms Refresh Rate (LP version)  
- 300µA (5.0 Volt)  
• High Performance:  
• 2 CAS  
-50  
-60  
-70  
• Read-Modify-Write  
tRAC  
tCAC  
tAA  
RAS Access Time  
50ns  
13ns  
25ns  
60ns  
15ns  
30ns  
70ns  
20ns  
35ns  
• RAS Only and CAS before RAS  
• Hidden Refresh  
CAS Access Time  
Column Address Access Time  
Cycle Time  
• Package:  
tRC  
95ns 110ns 130ns  
35ns 40ns 45ns  
- TSOP-II 50/44 (400milx825mil)  
- SOJ 42/42 (400mil)  
tPC  
Fast Page Mode Cycle Time  
Description  
vide high performance, low power dissipation, and  
high reliability. The devices operate with a single  
3.3V ± 0.3V or 5.0V ± 0.5V power supply. The 20  
addresses required to access any bit of data are  
multiplexed (10 are strobed with RAS, 10 are  
strobed with CAS).  
The IBM0118160 is a dynamic RAM organized  
1,048,576 words by 16 bits, which has a very low  
“sleep mode” power consumption option. These  
devices are fabricated in IBM’s advanced 0.5µm  
CMOS silicon gate process technology. The circuit  
and process have been carefully designed to pro-  
Pin Assignments (Top View)  
Pin Description  
RAS  
LCAS / UCAS  
WE  
Row Address Strobe  
L/U Column Address Strobe  
Read/Write Input  
Address Inputs  
50/44 TSOP  
42/42 SOJ  
VCC  
IO0  
IO1  
IO2  
IO3  
VCC  
IO4  
IO5  
IO6  
IO7  
NC  
1
50  
VSS  
VCC  
IO0  
IO1  
IO2  
IO3  
VCC  
IO4  
IO5  
IO6  
IO7  
1
2
3
4
5
6
7
8
42  
VSS  
2
3
4
5
49 IO15  
48 IO14  
47 IO13  
46 IO12  
41 IO15  
40 IO14  
39 IO13  
38 IO12  
A0 - A9  
OE  
Output Enable  
6
7
8
9
10  
11  
45  
VSS  
37  
VSS  
44 IO11  
43 IO10  
42 IO9  
41 IO8  
40 NC  
36 IO11  
35 IO10  
34 IO9  
33 IO8  
32 NC  
I/O0 - I/O15  
VCC  
Data Input/Output  
Power (+3.3V or +5.0V)  
Ground  
9
10  
VSS  
NC  
11  
NC  
NC  
WE  
RAS  
NC  
NC  
A0  
A1  
A2  
A3  
VCC  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
36 NC  
35 LCAS  
34 UCAS  
33 OE  
32 A9  
31 A8  
30 A7  
29 A6  
28 A5  
27 A4  
NC  
WE  
RAS  
NC  
NC  
A0  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
31 LCAS  
30 UCAS  
29 OE  
28 A9  
27 A8  
26 A7  
A1  
A2  
25 A6  
24 A5  
A3  
VCC  
20  
21  
23 A4  
24  
25  
22  
VSS  
26  
VSS  
©IBM Corporation. All rights reserved.  
Use is further subject to the provisions at the end of this document.  
43G9388  
SA14-4209-04  
Revised 11/96  
Page 1 of 26  
1234567...27

中文翻译

下载PDF

与IBM0118160BT3-70相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IBM0118160BT3-80 IBM

获取价格

 		Fast Page DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.825 INCH, TSOP2-50/44
IBM0118160J3-70 IBM

获取价格

 		Fast Page DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42
IBM0118160MJ3-70 IBM

获取价格

 		Fast Page DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42
IBM0118160MT3-70 IBM

获取价格

 		Fast Page DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.825 INCH, TSOP2-50/44
IBM0118160PJ3-70 IBM

获取价格

 		Fast Page DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42
IBM0118160PT3-60 IBM

获取价格

 		Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.825 INCH, TSOP2-50/44
IBM0118160PT3-70 IBM

获取价格

 		Fast Page DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.825 INCH, TSOP2-50/44
IBM0118160T3-50 IBM

获取价格

 		Fast Page DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.825 INCH, TSOP2-50/44
IBM0118160T3-60 IBM

获取价格

 		Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.825 INCH, TSOP2-50/44
IBM0118160T3-70 IBM

获取价格

 		Fast Page DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.825 INCH, TSOP2-50/44

与IBM0118160BT3-70相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证