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HYS64T64020LM-5-A

更新时间: 2024-11-20 22:07:51
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英飞凌 - INFINEON 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
31页 913K
描述
Double-Data-Rate-Two SDRAM Micro-DIMM

HYS64T64020LM-5-A 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIMM包装说明:DIMM, DIMM214,16
针数:214Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.69访问模式:DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.6 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):200 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N214内存密度:4294967296 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE内存宽度:64
功能数量:1端口数量:1
端子数量:214字数:67108864 words
字数代码:64000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:65 °C最低工作温度:
组织:64MX64输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM214,16封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:1.8 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
自我刷新:YES最大待机电流:0.032 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.856 mA
最大供电电压 (Vsup):1.9 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:0.4 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HYS64T64020LM-5-A 数据手册

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Data Sheet, Rev. 0.6, June 2004  
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