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HYS64T64920HDL-3.7-B

更新时间: 2024-11-24 04:02:31
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奇梦达 - QIMONDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
70页 4132K
描述
200 Pin Small-Outlined DDR2 SDRAMs Modules

HYS64T64920HDL-3.7-B 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:MODULE包装说明:DIMM, DIMM200,24
针数:200Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.84Is Samacsys:N
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:0.5 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):266 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDMA-N200
内存密度:4294967296 bit内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:64功能数量:1
端口数量:1端子数量:200
字数:67108864 words字数代码:64000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:65 °C
最低工作温度:组织:64MX64
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM200,24
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:1.8 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
自我刷新:YES最大待机电流:0.06 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.95 mA
最大供电电压 (Vsup):1.9 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:0.6 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

HYS64T64920HDL-3.7-B 数据手册

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October 2006  
HYS64T32x00HDL–[25F/2.5/3/3S/3.7/5]–B  
HYS64T64x20HDL–[25F/2.5/3/3S/3.7/5]–B  
HYS64T128x21HDL–[25F/2.5/3/3S/3.7/5]–B  
200 Pin Small-Outlined DDR2 SDRAMs Modules  
DDR2 SDRAM  
SO-DIMM SDRAM  
RoHS Compliant  
Internet Data Sheet  
Rev. 1.1  

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