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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIMM, DIMM200,24 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 0.6 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 200 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDMA-N200 | JESD-609代码： | e3 |
| 内存密度： | 8589934592 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 64 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 端子数量： | 200 | 字数： | 134217728 words |
| 字数代码： | 128000000 | 最高工作温度： | 55 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128MX64 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIMM | 封装等效代码： | DIMM200,24 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 最大待机电流： | 0.048 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 1.96 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 0.6 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HYMP112S64M8-C4 | HYNIX |
获取价格 |
200pin Unbuffered DDR2 SDRAM SO-DIMMs based on 512 Mb 1st ver. |
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| HYMP112S64M8-E3 | HYNIX |
获取价格 |
200pin Unbuffered DDR2 SDRAM SO-DIMMs based on 512 Mb 1st ver. |
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| HYMP112S64MP8 | HYNIX |
获取价格 |
DDR2 SDRAM SO-DIMM |
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| HYMP112S64MP8-C4 | HYNIX |
获取价格 |
DDR2 SDRAM SO-DIMM |
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| HYMP112S64MP8-C5 | HYNIX |
获取价格 |
DDR2 SDRAM SO-DIMM |
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| HYMP112S64MP8-E3 | HYNIX |
获取价格 |
DDR2 SDRAM SO-DIMM |
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| HYMP112S64MP8-E4 | HYNIX |
获取价格 |
DDR2 SDRAM SO-DIMM |
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| HYMP112S64P8-Y5 | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 128MX64, 0.45ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
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| HYMP112U648-E3 | HYNIX |
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DDR DRAM Module, 128MX64, 0.6ns, CMOS, DIMM-240 |
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| HYMP112U648-E4 | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 128MX64, 0.6ns, CMOS, PDMA240 |
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