是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIMM | 包装说明: | DIMM, DIMM200,24 |
针数: | 200 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.36 |
风险等级: | 5.92 | 访问模式: | DUAL BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.6 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 200 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XZMA-N200 | 内存密度: | 8589934592 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM MODULE | 内存宽度: | 64 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 200 | 字数: | 134217728 words |
字数代码: | 128000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 55 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 128MX64 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIMM |
封装等效代码: | DIMM200,24 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 1.8 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 8192 | 自我刷新: | YES |
最大待机电流: | 0.08 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 2.2 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 0.6 mm | 端子位置: | ZIG-ZAG |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
HYMP112S64MP8 | HYNIX | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
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HYMP112S64MP8-C4 | HYNIX | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
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HYMP112S64MP8-C5 | HYNIX | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
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HYMP112S64MP8-E3 | HYNIX | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
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HYMP112S64MP8-E4 | HYNIX | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
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HYMP112S64P8-Y5 | HYNIX | DDR DRAM Module, 128MX64, 0.45ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
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