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HYM5V64124ASLXG-60

更新时间: 2024-11-08 07:03:27
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 307K
描述
EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168

HYM5V64124ASLXG-60 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:,针数:168
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH备用内存宽度:32
JESD-30 代码:R-XDMA-N168内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE内存宽度:64
功能数量:1端口数量:1
端子数量:168字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX64输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HYM5V64124ASLXG-60 数据手册

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