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HYM5V64200ATXG-80

更新时间： 2024-11-09 14:42:43

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	288K
描述
Fast Page DRAM Module, 2MX64, 80ns, CMOS, DIMM-168

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HYM5V64200ATXG-80 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	,	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	80 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
备用内存宽度：	32	JESD-30 代码：	R-XDMA-N168
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	168
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX64
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HYM5V64200AX-80	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM Module, 2MX64, CMOS, DIMM
HYM5V64200AXG-80	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM Module, 2MX64, 80ns, CMOS, DIMM-168
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HYM5V64204ASLX-60	HYNIX	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX64, CMOS, DIMM
HYM5V64204ASLX-70	HYNIX	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX64, CMOS, DIMM
HYM5V64204ASLXG-60	HYNIX	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168
HYM5V64204ASLXG-70	HYNIX	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX64, 70ns, CMOS, DIMM-168
HYM5V64204ASLXG-80	HYNIX	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX64, 80ns, CMOS, DIMM-168
HYM5V64204ATQ-60	HYNIX	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX64, CMOS, DIMM-144