Datasheet > HYM564404ATKG-80

HYM564404ATKG-80

更新时间： 2024-11-21 20:19:47

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	305K
描述
EDO DRAM Module, 4MX64, 80ns, CMOS, DIMM-168

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HYM564404ATKG-80 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM168	针数：	168
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	80 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
备用内存宽度：	32	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM168	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	25.4 mm	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.016 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	1.28 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...11

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HYM564404ATN-80	HYNIX	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX64, CMOS, DIMM
HYM564404ATNG-60	HYNIX	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168
HYM564404ATNG-70	HYNIX	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX64, 70ns, CMOS, DIMM-168
HYM564410AN-60	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX64, CMOS, DIMM
HYM564410ANG-70	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX64, 70ns, CMOS, DIMM-168
HYM564410ASLN-60	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX64, CMOS, DIMM
HYM564410ASLN-70	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX64, CMOS, DIMM
HYM564410ASLNG-60	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168
HYM564410ASLNG-70	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX64, 70ns, CMOS, DIMM-168
HYM564410ASLTN-70	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX64, CMOS, DIMM