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HYM564414AN-80

更新时间: 2024-11-21 19:22:19
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海力士 - HYNIX 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 78K
描述
EDO DRAM Module, 4MX64, CMOS, DIMM

HYM564414AN-80 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:DIMM,Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.24
风险等级:5.84访问模式:FAST PAGE WITH EDO
JESD-30 代码:R-XDMA-N内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE内存宽度:64
功能数量:1端口数量:1
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS组织:4MX64
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
端子形式:NO LEAD端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HYM564414AN-80 数据手册

  

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