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HYM564410ATN-60

更新时间: 2024-11-21 19:22:19
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海力士 - HYNIX 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 78K
描述
Fast Page DRAM Module, 4MX64, CMOS, DIMM

HYM564410ATN-60 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:DIMM,Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.24
风险等级:5.84Is Samacsys:N
访问模式:FAST PAGEJESD-30 代码:R-XDMA-N
内存密度:268435456 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度:64功能数量:1
端口数量:1字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:ASYNCHRONOUS
组织:4MX64输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态:Not Qualified刷新周期:2048
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS端子形式:NO LEAD
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HYM564410ATN-60 数据手册

  

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