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HYM564404ASLTKG-70

更新时间： 2024-11-25 20:19:47

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	305K
描述
EDO DRAM Module, 4MX64, 70ns, CMOS, DIMM-168

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HYM564404ASLTKG-70 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM168	针数：	168
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	备用内存宽度：	32
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N168
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	168
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX64
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM168
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	25.4 mm
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.0064 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	1.44 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HYM564404ASLTKG-80	HYNIX	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX64, 80ns, CMOS, DIMM-168
HYM564404ASLTN-70	HYNIX	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX64, CMOS, DIMM
HYM564404ASLTNG-70	HYNIX	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX64, 70ns, CMOS, DIMM-168
HYM564404ASLTNG-80	HYNIX	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX64, 80ns, CMOS, DIMM-168
HYM564404ATK-70	HYNIX	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX64, CMOS, DIMM
HYM564404ATK-80	HYNIX	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX64, CMOS, DIMM
HYM564404ATKG-60	ETC	获取价格	x64 EDO Page Mode DRAM Module
HYM564404ATKG-70	ETC	获取价格	x64 EDO Page Mode DRAM Module
HYM564404ATKG-80	HYNIX	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX64, 80ns, CMOS, DIMM-168
HYM564404ATN-80	HYNIX	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX64, CMOS, DIMM