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HYM564404ANG-70

更新时间： 2024-11-25 15:34:23

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	304K
描述
EDO DRAM Module, 4MX64, 70ns, CMOS, DIMM-168

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HYM564404ANG-70 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	,	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	备用内存宽度：	32
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HYM564404ASLK-60	HYNIX	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX64, CMOS, DIMM
HYM564404ASLK-70	HYNIX	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX64, CMOS, DIMM
HYM564404ASLKG-60	HYNIX	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168
HYM564404ASLKG-70	HYNIX	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX64, 70ns, CMOS, DIMM-168
HYM564404ASLKG-80	HYNIX	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX64, 80ns, CMOS, DIMM-168
HYM564404ASLNG-60	HYNIX	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168
HYM564404ASLNG-80	HYNIX	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX64, 80ns, CMOS, DIMM-168
HYM564404ASLTK-70	HYNIX	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX64, CMOS, DIMM
HYM564404ASLTKG-60	ETC	获取价格	x64 EDO Page Mode DRAM Module
HYM564404ASLTKG-70	HYNIX	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX64, 70ns, CMOS, DIMM-168