5秒后页面跳转
HYM564224AXG-60 PDF预览

HYM564224AXG-60

更新时间: 2024-11-21 20:02:35
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 417K
描述
EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168

HYM564224AXG-60 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:DIMM,针数:168
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.83
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:60 ns
其他特性:CAS BEFORE RAS/RAS ONLY/HIDDEN/ SELF REFRESHJESD-30 代码:R-XDMA-N168
内存密度:134217728 bit内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE
内存宽度:64功能数量:1
端口数量:1端子数量:168
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2MX64
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态:Not Qualified自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HYM564224AXG-60 数据手册

 浏览型号HYM564224AXG-60的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HYM564224AXG-60的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HYM564224AXG-60的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HYM564224AXG-60的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HYM564224AXG-60的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HYM564224AXG-60的Datasheet PDF文件第7页 

与HYM564224AXG-60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HYM564224AXG-70 HYNIX

获取价格

EDO DRAM Module, 2MX64, 70ns, CMOS, DIMM-168
HYM564400ANG-60 HYNIX

获取价格

Fast Page DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168
HYM564400ANG-70 HYNIX

获取价格

Fast Page DRAM Module, 4MX64, 70ns, CMOS, DIMM-168
HYM564400ASLNG-50 HYNIX

获取价格

Fast Page DRAM Module, 4MX64, 50ns, CMOS, DIMM-168
HYM564400ASLNG-60 HYNIX

获取价格

Fast Page DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168
HYM564400ASLNG-70 HYNIX

获取价格

Fast Page DRAM Module, 4MX64, 70ns, CMOS, DIMM-168
HYM564400ASLTNG-60 HYNIX

获取价格

Fast Page DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168
HYM564400ATN-50 HYNIX

获取价格

Fast Page DRAM Module, 4MX64, CMOS, DIMM
HYM564400ATN-60 HYNIX

获取价格

Fast Page DRAM Module, 4MX64, CMOS, DIMM
HYM564400ATN-70 HYNIX

获取价格

Fast Page DRAM Module, 4MX64, CMOS, DIMM