Datasheet > 存储 > DRAM> HYB18M1G161BF-7.5

HYB18M1G161BF-7.5

更新时间： 2024-02-08 00:15:15

品牌	Logo	应用领域
奇梦达 - QIMONDA		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数	文件大小	规格书
65页	3516K
描述
1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HYB18M1G161BF-7.5 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DSBGA	包装说明：	TFBGA, BGA60,9X10,32
针数：	60	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6.5 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8,16
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	长度：	11 mm
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	60	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA60,9X10,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.07 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8,16
最大待机电流：	0.0012 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.27 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	10.5 mm
Base Number Matches：	1

HYB18M1G161BF-7.5 数据手册

浏览型号HYB18M1G161BF-7.5的Datasheet PDF文件第1页

浏览型号HYB18M1G161BF-7.5的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号HYB18M1G161BF-7.5的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号HYB18M1G161BF-7.5的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号HYB18M1G161BF-7.5的Datasheet PDF文件第6页

Data Sheet

HY[B/E]18M1G16[0/1]BF

1-Gbit DDR Mobile-RAM

Overview

1.1

Features

•

Low power DDR 1Gbit x16 dual die implementation

Each die organized as 4 banks x 8 MBit x 16

2 KByte page size

Two Chip Selects (2 CS) for reducing power consumption

Options for one CKE and two CKEs are available. Option with second CKE provides futher power saving

Double-data-rate architecture: two data transfers per clock cycle

Bidirectional data strobe (DQS) is transmitted / received with data; to be used in capturing data at the receiver

DQS is edge-aligned with data for READs and center-aligned with data for WRITEs

Differential clock input (CK / CK)

Commands entered on positive CK edge; data and mask data are referenced to both edges of DQS

Four internal banks for concurrent operation

Programmable CAS latency: 2 and 3

Programmable burst length: 2, 4, 8 and 16

Programmable drive strength (full, half, quarter)

Auto refresh and self refresh modes

8192 refresh cycles / 64ms

Auto precharge

Commercial (-0°C to +70°C) and Extended (-25°C to +85°C) operating temperature ranges

60-ball PG-VFBGA-60-6 package (11 × 10.5 × 1.0 mm)

RoHS Compliant Product¹⁾

Power Saving Features

•

Low supply voltages: V_DD= 1.70 V − 1.90 V, V_DDQ= 1.70 V − 1.90 V

Optimized operating (I_DD0, I_DD4), self refresh (I_DD6) and standby currents (I_DD2, I_DD3

DDR I/O scheme with no DLL

Programmable Partial Array Self Refresh (PASR)

Temperature Compensated Self-Refresh (TCSR), controlled by on-chip temperature sensor

Clock Stop, Power-Down and Deep Power-Down modes

)

TABLE 1

Performance

Part Number Speed Code

Clock Frequency (f_CKmax

- 6

- 7.5

133

Unit

)

CL = 3

CL = 2

166

MHz

Access Time (t_ACmax

)

5.5

6.5

1) RoHS Compliant Product: Restriction of the use of certain hazardous substances (RoHS) in electrical and electronic equipment as defined

in the directive 2002/95/EC issued by the European Parliament and of the Council of 27 January 2003. These substances include mercury,

lead, cadmium, hexavalent chromium, polybrominated biphenyls and polybrominated biphenyl ethers.

Rev.1.0, 2007-03

10242006-Y557-TZXW

1 234 5 6 7...65

下载PDF

与HYB18M1G161BF-7.5相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HYB18M1G320BF	QIMONDA	DRAMs for Mobile Applications 1-Gbit x32 DDR Mobile-RAM	获取价格
HYB18M1G320BF-7.5	QIMONDA	DRAMs for Mobile Applications 1-Gbit x32 DDR Mobile-RAM	获取价格
HYB18M1G320DF-7.5	QIMONDA	DDR DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PBGA90, 9 X 12.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90	获取价格
HYB18M256160CF-6	QIMONDA	DDR DRAM, 16MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 10 X 10.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, VFBGA-60	获取价格
HYB18M256160CF-6/7.5	QIMONDA	DRAMs for Mobile Applications	获取价格
HYB18M256160CF-7.5	QIMONDA	DDR DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, 10 X 10.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, VFBGA-60	获取价格

与HYB18M1G161BF-7.5相关文章

资料手册解读：UC3842参数和管脚说明
2024-05-22

3
一文带你了解无源晶振的负载电容为何要加两颗谐振电容CL1和CL2
2024-05-22

4
玻璃管保险丝与陶瓷管保险丝：区别与替代性探讨
2024-05-22

3
PCF8574资料解读：主要参数分析、引脚说明
2024-05-21

15

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HYB18M1G161BF-7.5

HYB18M1G161BF-7.5 技术参数

HYB18M1G161BF-7.5 数据手册

与HYB18M1G161BF-7.5相关器件

与HYB18M1G161BF-7.5相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HYB18M1G161BF-7.5

HYB18M1G161BF-7.5 技术参数

HYB18M1G161BF-7.5 数据手册

与HYB18M1G161BF-7.5相关器件

与HYB18M1G161BF-7.5相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？