5秒后页面跳转
HY63V16100AR-25 PDF预览

HY63V16100AR-25

更新时间: 2024-10-02 19:58:07
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 463K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 25ns, CMOS, PDSO44

HY63V16100AR-25 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP, TSOP44,.46,32Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.92最长访问时间:25 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G44
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
端子数量:44字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP44,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
反向引出线:YES最大待机电流:0.001 A
最小待机电流:3 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.12 mA标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HY63V16100AR-25 数据手册

 浏览型号HY63V16100AR-25的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HY63V16100AR-25的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HY63V16100AR-25的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HY63V16100AR-25的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HY63V16100AR-25的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HY63V16100AR-25的Datasheet PDF文件第7页 

与HY63V16100AR-25相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HY63V16100AR-30 HYNIX

获取价格

Standard SRAM, 64KX16, 30ns, CMOS, PDSO44
HY63V16100AT-20 HYNIX

获取价格

Standard SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PDSO44
HY63V16100AT2-12 HYNIX

获取价格

Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
HY63V16100AT2-20 HYNIX

获取价格

Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
HY63V16100AT2-25 HYNIX

获取价格

Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
HY63V16100AT2-30 HYNIX

获取价格

Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
HY63V16100AT-25 HYNIX

获取价格

Standard SRAM, 64KX16, 25ns, CMOS, PDSO44
HY63V16100AT2-8 HYNIX

获取价格

Standard SRAM, 64KX16, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
HY63V16100AT2-8I HYNIX

获取价格

Standard SRAM, 64KX16, 8ns, CMOS, PDSO44
HY63V16100AT-30 ETC

获取价格

x16 SRAM