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HY63V8100AJ-20

更新时间: 2024-10-02 21:14:47
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 181K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, SOJ-32

HY63V8100AJ-20 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:0.400 INCH, SOJ-32
针数:32Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.BHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:20 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J32JESD-609代码:e0
长度:20.96 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ32,.44
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.76 mm
最大待机电流:0.001 A最小待机电流:3 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.1 mA
最大供电电压 (Vsup):3.63 V最小供电电压 (Vsup):2.97 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

HY63V8100AJ-20 数据手册

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