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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOJ | 包装说明： | 0.400 INCH, SOJ-32 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.B | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 20 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-J32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 20.96 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ |
| 封装等效代码： | SOJ32,.44 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.76 mm | 最大待机电流： | 0.00005 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.1 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.63 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.97 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY63V8100ALJ-25 | HYNIX |
获取价格 |
暂无描述 |
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| HY63V8100ALJ-30 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, SOJ-32 |
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| HY63V8100ALJ-35 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, SOJ-32 |
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| HY63V8100ALJ-8 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 8ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, SOJ-32 |
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| HY63V8100ALR-20 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| HY63V8100ALR2-25 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-32 |
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| HY63V8100ALR2-30 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-32 |
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| HY63V8100ALR-25 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| HY63V8100ALR-30 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| HY63V8100ALT-20 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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