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HY63V8400AT2-12

更新时间： 2024-09-23 20:40:15
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX ISM频段静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 122K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

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HY63V8400AT2-12 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2,针数：44
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
最长访问时间：15 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e6长度：18.41 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：44字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：512KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：TIN BISMUTH端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

HY63V8400AT2-12 数据手册

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HY63V8400A  
512Kx8bit CMOS FAST SRAM  
Preliminary  
DESCRIPTION  
FEATURES  
The HY63V8400A is a 4,194,304-bit high-speed  
Static Random Access Memory organized as  
524,288 words by 8-bits. The HY63V8400A uses  
eight common input and output lines and has an  
out enable pin which operates faster than address  
access time at read cycle. The device is  
fabricated using Hyundai’ s advanced CMOS  
process and designed for high speed circuit  
technology. It is particularly well suited for use in  
high-density high-speed system applications.  
·
·
·
·
Single 3.3V+0.3V Power Supply  
Fully static operation and Tri-state output  
TTL compatible input and outputs  
Low data Retention Voltage:  
-2.0V(min) –L-ver. Only  
Center Power/Ground Pin configuration  
Standard pin configuration  
·
·
- 36pin 400mil SOJ  
- 44pin 400mil TSOP-ll  
Product  
No.  
Voltage  
(V)  
Speed  
(ns)  
10  
12  
15  
Operation  
Current/Icc(mA)  
Standby Current(uA)  
L
200  
190  
180  
10  
10  
10  
1
1
1
HY63V8400A  
3.3  
PIN CONNECTION ( Top View )  
BLOCK DIAGRAM  
ROW  
DECODER  
A0  
A1  
A2  
A3  
A4  
CS  
NC  
A0  
N.C  
N.C  
N.C  
A18  
A17  
A16  
A15  
/OE  
I/O8  
I/O7  
Vss  
Vcc  
I/O6  
I/O5  
A14  
A13  
A12  
A11  
A10  
N.C  
N.C  
N.C  
N.C  
N.C  
A0  
A1  
A2  
1
2
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
I/O1  
1
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
A18  
A17  
A16  
2
3
3
4
4
5
A15  
A3  
A4  
6
5
/OE  
7
/
6
/CS  
I/O1  
I/O2  
Vcc  
Vss  
I/O3  
I/O4  
/WE  
A5  
A6  
A7  
A8  
A9  
8
I/O1  
I/O8  
I/O7  
Vss  
Vcc  
I/O6  
I/O5  
A14  
A13  
A12  
A11  
A10  
NC  
7
MEMORY  
9
I/O2  
8
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
Vcc  
9
512x1024x8  
Vss  
TSOP  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
SOJ  
I/O3  
I/O4  
/WE  
A5  
A6  
A7  
I/O8  
A18  
A8  
A9  
/CS  
/OE  
/WE  
N.C  
N.C  
SOJ  
TSOPll  
PIN DESCRIPTION  
Pin Name  
Pin Function  
Pin Name  
A0~A18  
Vcc  
Pin Function  
Address Input  
Power(+3.3V)  
Ground  
/CS  
/WE  
/OE  
Chip Select  
Write Enable  
Output Enable  
Vss  
I/O1~I/O8 Data Input/Output  
NC  
No Connection  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev.1 / Jun. 2000  
Hyundai Semiconductor  
12345678

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