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HY63V8100AR2-35

更新时间: 2024-10-02 21:21:31
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX ISM频段静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 20K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-32

HY63V8100AR2-35 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2-R,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:35 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e6长度:20.95 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS组织:128KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2-R
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):3.63 V
最小供电电压 (Vsup):2.97 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
端子面层:TIN BISMUTH端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

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