生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSOP2-R, | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 35 ns | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码: | e6 | 长度: | 20.95 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 组织: | 128KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2-R |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.63 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.97 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
端子面层: | TIN BISMUTH | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY63V8100AR-25 | ETC |
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x8 SRAM | |
HY63V8100AR-30 | ETC |
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x8 SRAM | |
HY63V8100AT-20 | ETC |
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x8 SRAM | |
HY63V8100AT2-10 | HYNIX |
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Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, TSOP2-32 | |
HY63V8100AT2-12 | HYNIX |
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Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, TSOP2-32 | |
HY63V8100AT2-30 | HYNIX |
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Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, TSOP2-32 | |
HY63V8100AT-25 | ETC |
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x8 SRAM | |
HY63V8100AT-30 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM | |
HY63V8400 | HYNIX |
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512Kx8Bit CMOS FAST SRAM | |
HY63V8400AJ-10 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, SOJ-44 |