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HY63V16100AR-30

更新时间: 2024-10-02 19:58:07
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 463K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 30ns, CMOS, PDSO44

HY63V16100AR-30 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP, TSOP44,.46,32Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:30 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G44JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16端子数量:44
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP封装等效代码:TSOP44,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified反向引出线:YES
最大待机电流:0.001 A最小待机电流:3 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.1 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HY63V16100AR-30 数据手册

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