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HY62U8512LST-12

更新时间： 2024-10-02 15:34:23
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX ISM频段静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 129K
描述
Standard SRAM, 64KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32

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HY62U8512LST-12 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP1
包装说明：TSOP1,针数：32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
最长访问时间：120 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e6长度：11.8 mm
内存密度：524288 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：64KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.3 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：TIN BISMUTH端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
宽度：8 mmBase Number Matches：1

HY62U8512LST-12 数据手册

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HY62U8512-(I) Series  
64Kx8bit CMOS SRAM  
DESCRIPTION  
FEATURES  
The HY62U8512/HY62U8512-I is a high speed,  
low power and 512K bit CMOS SRAM organized  
as 65,536 words by 8bit. The HY62U8512 /  
HY62U8512-I uses high performance CMOS  
process technology and designed for high speed  
low power circuit technology. It is particularly well  
suited for used in high density low power system  
application. This device has a data retention mode  
that guarantees data to remain valid at a minimum  
power supply voltage of 2.0V.  
·
·
·
Fully static operation and Tri-state output  
TTL compatible inputs and outputs  
Battery backup(L/LL-part)  
- 2.0V(min) data retention  
·
Standard pin configuration  
- 32pin 8x13.4mm Small TSOP-I  
(Standard)  
Product  
No.  
HY62U8512  
HY62U8512-I  
Voltage  
(V)  
Speed  
(ns)  
85*/100/120  
85*/100/120  
Operation  
Current(mA)  
Standby Current(uA)  
Temperature  
(°C)  
0~70(Normal)  
-40~85(E.T.)  
L
LL  
10  
10  
3.0  
3.0  
5
5
50  
50  
Note 1. E.T. : Extended Temperature, Normal : Normal Temperature  
2. Current value is max.  
3. * measured with 30pF test load  
PIN CONNECTION  
BLOCK DIAGRAM  
/OE  
A10  
/CS1  
DQ8  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
Vss  
DQ3  
DQ2  
DQ1  
A0  
A11  
A9  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
1
2
ROW DECODER  
I/O1  
A0  
A8  
3
A13  
/WE  
CS2  
A15  
Vcc  
NC  
NC  
A14  
A12  
A7  
4
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
MEMORY ARRAY  
A6  
A1  
A5  
A2  
A4  
A3  
A15  
I/O8  
Small TSOP-I  
/CS1  
CS2  
/WE  
/OE  
PIN DESCRIPTION  
Pin Name  
Pin Function  
Pin Name  
A0 ~ A15  
I/O1 ~ I/O8  
Vcc  
Pin Function  
Address Input  
Data Input/Output  
Power(3.0V)  
/CS1  
CS2  
/WE  
/OE  
Chip Select 1  
Chip Select 2  
Write Enable  
Output Enable  
Vss  
Ground  
ORDERING INFORMATION  
Part No.  
Speed  
Power  
Temp.  
Package  
HY62U8512LST  
HY62U8512LLST  
HY62U8512LST-I  
HY62U8512LLST-I  
85*/100/120  
85*/100/120  
85*/100/120  
85*/100/120  
L-part  
LL-part  
L-part  
Small TSOP-I(Standard)  
Small TSOP-I(Standard)  
Small TSOP-I(Standard)  
Small TSOP-I(Standard)  
E.T.  
E.T.  
LL-part  
Note 1. E.T. : Extended Temperature, Blank : Normal Temperature  
2. * measured with 30pF test load.  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev.04 /Jan.99  
Hyundai Semiconductor  
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与HY62U8512LST-12相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HY62U8512LST-85 HYNIX

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 		Standard SRAM, 64KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32
HY62U8512LST-85I HYNIX

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 		Standard SRAM, 64KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32
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