Datasheet > HY62UF16101CLLF-85I

HY62UF16101CLLF-85I

更新时间： 2024-01-22 17:30:30

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	258K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, FINE PITCH, BGA-48

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HY62UF16101CLLF-85I 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA48,6X8,30	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.79
最长访问时间：	85 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e1
长度：	6.3 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,30
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.1 mm
最小待机电流：	1.2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.045 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	6.2 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY62UF16101CLLF-I	HYNIX	获取价格	64Kx16bit full CMOS SRAM
HY62UF16101CLLF-I-70	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48
HY62UF16101CLLF-I-85	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48
HY62UF16101CLLT2-55	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
HY62UF16101CLLT2-70	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
HY62UF16101CLLT2-85	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
HY62UF16101CLLT2-I-55	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
HY62UF16101CLLT2-I-70	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
HY62UF16101CLLT2-I-85	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
HY62UF16101CSLF	HYNIX	获取价格	64Kx16bit full CMOS SRAM