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HY62UF16101CLLT2-I-55 PDF预览

HY62UF16101CLLT2-I-55

更新时间： 2024-01-26 10:47:47
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX ISM频段静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 160K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

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HY62UF16101CLLT2-I-55 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2,针数：44
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.79
最长访问时间：55 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e6长度：18.41 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：44字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：64KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.3 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN BISMUTH端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

HY62UF16101CLLT2-I-55 数据手册

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HY62UF16100C Series  
64Kx16bit full CMOS SRAM  
PRELIMINARY  
DESCRIPTION  
FEATURES  
The HY62UF16100C is a high speed, super low  
power and 1M bit full CMOS SRAM organized as  
65,536 words by 16bit. The HY62UF16100C  
uses high performance full CMOS process  
technology and designed for high speed low  
power circuit technology. It is particularly well  
suited for used in high density low power system  
application. This device has a data retention mode  
that guarantees data to remain valid at a minimum  
power supply voltage of 1.2V.  
·
·
·
Fully static operation and Tri-state output  
TTL compatible inputs and outputs  
Battery backup(LL/SL-part)  
-. 1.2V(min) data retention  
Standard pin configuration  
-. 44 - TSOPII - 400mil  
·
-. 48 - FBGA  
Product  
No.  
HY62UF16100C  
HY62UF16100C-I  
Voltage  
(V)  
2.7~3.3 55/70/85  
2.7~3.3 55/70/85  
Speed  
(ns)  
Operation  
Current(mA)  
Standby Current(uA)  
Temperature  
(°C)  
0~70  
-40~85(I)  
LL  
5
SL  
1
3
3
5
1
Note 1. Blank : Commercial, I : Industrial  
2. Current value is max.  
PIN CONNECTION  
BLOCK DIAGRAM  
A1~A7  
ROW  
/LB /OE A0 A1 A2 NC  
DECODER  
I/O1  
I/O8  
I/O9  
I/O16  
A4  
A3  
A5  
1
2
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
A14  
A15  
A6  
A2  
A7  
3
IO9 /UB A3 A4 /CS IO1  
IO10 IO11 A5 A6 IO2 IO3  
Vss IO12 NC A7 IO4 Vcc  
Vcc IO13 NC NC IO5 Vss  
IO15 IO14 A14 A15 IO6 IO7  
IO16 NC A12 A13 /WE IO8  
NC A8 A9 A10 A11 NC  
A1  
A0  
/OE  
/UB  
/LB  
4
5
/CS  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
I/O4  
Vcc  
GND  
I/O5  
I/O6  
I/O7  
I/O8  
/WE  
A15  
A14  
A13  
A12  
NC  
6
I/O16  
I/O15  
I/O14  
I/O13  
GND  
Vcc  
I/O12  
I/O11  
I/O10  
I/O9  
NC  
A8  
A9  
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
A10  
A11  
MEMORY ARRAY  
64K X 16  
A12  
A13  
A0  
A8  
A9  
A10  
A11  
NC  
/CS  
/OE  
/LB  
FBGA  
TSOP ll  
/UB  
/WE  
PIN DESCRIPTION  
Pin Name  
/CS  
/WE  
/OE  
/LB  
Pin Function  
Chip Select  
Write Enable  
Output Enable  
Low Byte Control(I/O1~I/O8)  
Pin Name  
I/O1~I/O16  
A0~A15  
Vcc  
Pin Function  
Data Inputs / Outputs  
Address Inputs  
Power(2.7V~3.3V)  
Ground  
Vss  
/UB  
Upper Byte Control(I/O9~I/O16) NC  
No Connection  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev.02 /Jun. 00  
Hyundai Semiconductor  
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与HY62UF16101CLLT2-I-55相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HY62UF16101CLLT2-I-70 HYNIX

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 		Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
HY62UF16101CLLT2-I-85 HYNIX

获取价格

 		Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
HY62UF16101CSLF HYNIX

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 		64Kx16bit full CMOS SRAM
HY62UF16101CSLF-55 HYNIX

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 		Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, FINE PITCH, BGA-48
HY62UF16101CSLF-70 HYNIX

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 		Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, FINE PITCH, BGA-48
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HY62UF16101CSLF-I HYNIX

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 		64Kx16bit full CMOS SRAM
HY62UF16101CSLF-I-55 HYNIX

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