5秒后页面跳转
HY62UF16100LLM-10I PDF预览

HY62UF16100LLM-10I

更新时间: 2023-07-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 471K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48

HY62UF16100LLM-10I 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:TFBGA,针数:48
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:100 nsJESD-30 代码:R-PBGA-B48
JESD-609代码:e1长度:6.5 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:48字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:64KX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.11 mm
最大供电电压 (Vsup):3.3 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN SILVER COPPER端子形式:BALL
端子节距:0.75 mm端子位置:BOTTOM
宽度:6.2 mmBase Number Matches:1

HY62UF16100LLM-10I 数据手册

 浏览型号HY62UF16100LLM-10I的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HY62UF16100LLM-10I的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HY62UF16100LLM-10I的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HY62UF16100LLM-10I的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HY62UF16100LLM-10I的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HY62UF16100LLM-10I的Datasheet PDF文件第7页 

与HY62UF16100LLM-10I相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HY62UF16100LLM-70 HYNIX

获取价格

Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
HY62UF16100LLM-70I HYNIX

获取价格

Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
HY62UF16100LLM-I-70 HYNIX

获取价格

Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
HY62UF16100SLM-85 HYNIX

获取价格

Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
HY62UF16100SLM-I-10 HYNIX

获取价格

Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
HY62UF16100SLM-I-85 HYNIX

获取价格

Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
HY62UF16101C HYNIX

获取价格

64Kx16bit full CMOS SRAM
HY62UF16101CLLF HYNIX

获取价格

64Kx16bit full CMOS SRAM
HY62UF16101CLLF-55 HYNIX

获取价格

Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, FINE PITCH, BGA-48
HY62UF16101CLLF-85I HYNIX

获取价格

Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, FINE PITCH, BGA-48