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HY62UF16101CLLF-55

更新时间： 2024-02-28 16:38:03

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	258K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, FINE PITCH, BGA-48

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HY62UF16101CLLF-55 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA48,6X8,30	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.79
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	55 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e1	长度：	6.3 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.1 mm	最小待机电流：	1.2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	6.2 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY62UF16101CLLF-85I	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, FINE PITCH, BGA-48
HY62UF16101CLLF-I	HYNIX	获取价格	64Kx16bit full CMOS SRAM
HY62UF16101CLLF-I-70	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48
HY62UF16101CLLF-I-85	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48
HY62UF16101CLLT2-55	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
HY62UF16101CLLT2-70	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
HY62UF16101CLLT2-85	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
HY62UF16101CLLT2-I-55	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
HY62UF16101CLLT2-I-70	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
HY62UF16101CLLT2-I-85	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44