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HY62UF08401C-SS55I

更新时间: 2024-02-24 23:39:36
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 78K
描述
x8 SRAM

HY62UF08401C-SS55I 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:LSSOP, TSSOP32,.56,20针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:55 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32长度:11.8 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:512KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LSSOP
封装等效代码:TSSOP32,.56,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行:PARALLEL
电源:3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.25 mm最小待机电流:1.2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.04 mA
最大供电电压 (Vsup):3.3 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL宽度:8 mm
Base Number Matches:1

HY62UF08401C-SS55I 数据手册

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HY62UF08401C Series  
256Kx16bit full CMOS SRAM  
Document Title  
512K x 8bit 2.7 ~ 3.3V Super low Power FCMOS Slow SRAM  
Revision History  
Revision No History  
Draft Date  
Remark  
00  
01  
02  
Initial Draft  
Dec.18.2000  
Mar.23.2001  
Jun.07.2001  
Final  
Final  
Final  
Changed Logo  
Changed Isb1 values  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Electronics does not assume any responsibility  
for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev.02 / Jun.01  
Hynix Semiconductor  

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