生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP |
包装说明: | LSSOP, TSSOP32,.56,20 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 55 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | 长度: | 11.8 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 512KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LSSOP |
封装等效代码: | TSSOP32,.56,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.25 mm | 最小待机电流: | 1.2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.04 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY62UF08401C-SS70I | ETC |
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x8 SRAM | |
HY62UF08401C-SSI | HYNIX |
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High Speed, Super Low Power and 4Mbit Full CMOS SRAM | |
HY62UF16100CLLF-85 | HYNIX |
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Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48 | |
HY62UF16100CLLF-I-70 | HYNIX |
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Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48 | |
HY62UF16100CSLF-55 | HYNIX |
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Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48 | |
HY62UF16100CSLF-85 | HYNIX |
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Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48 | |
HY62UF16100LLM-10I | HYNIX |
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Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48 | |
HY62UF16100LLM-70 | HYNIX |
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Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48 | |
HY62UF16100LLM-70I | HYNIX |
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Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48 | |
HY62UF16100LLM-I-70 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48 |