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HY62U8200BLLSR-70

更新时间: 2024-11-01 14:33:55
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 275K
描述
Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, REVERSE, STSOP1-32

HY62U8200BLLSR-70 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP1包装说明:TSOP1-R, TSSOP32,.56,20
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.84最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0长度:11.8 mm
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1-R
封装等效代码:TSSOP32,.56,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3 V
认证状态:Not Qualified反向引出线:YES
座面最大高度:1.2 mm最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.03 mA
最大供电电压 (Vsup):3.3 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:8 mm
Base Number Matches:1

HY62U8200BLLSR-70 数据手册

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