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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | VFBGA, BGA48,6X8,30 | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 70 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 7 mm | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 256KX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | VFBGA | 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1 mm |
| 最小待机电流： | 1.2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.01 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.3 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.65 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.75 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 宽度： | 6 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY62SF16404E-DFI | HYNIX |
获取价格 |
256K x16 bit 1.65 ~ 2.3V Super Low Power FCMOS Slow SRAM |
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| HY62SF16404E-I | HYNIX |
获取价格 |
256K x16 bit 1.65 ~ 2.3V Super Low Power FCMOS Slow SRAM |
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| HY62SF16404E-SF | HYNIX |
获取价格 |
256K x16 bit 1.65 ~ 2.3V Super Low Power FCMOS Slow SRAM |
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| HY62SF16404E-SF70I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48 |
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| HY62SF16404E-SFI | HYNIX |
获取价格 |
256K x16 bit 1.65 ~ 2.3V Super Low Power FCMOS Slow SRAM |
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| HY62SF16406C | HYNIX |
获取价格 |
256Kx16bit full CMOS SRAM |
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| HY62SF16406C-DM85I | HYNIX |
获取价格 |
256Kx16bit full CMOS SRAM |
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| HY62SF16406C-I | HYNIX |
获取价格 |
256Kx16bit full CMOS SRAM |
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| HY62SF16406C-SM85I | HYNIX |
获取价格 |
256Kx16bit full CMOS SRAM |
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| HY62SF16406D | HYNIX |
获取价格 |
256Kx16bit full CMOS SRAM |
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