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HY62SF16803ASLM-85 PDF预览

HY62SF16803ASLM-85

更新时间： 2024-02-20 10:02:22
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 141K
描述
Standard SRAM, 512KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48

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HY62SF16803ASLM-85 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：VFBGA,针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
最长访问时间：85 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B48
JESD-609代码：e1长度：8.5 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：48字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VFBGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
认证状态：Not Qualified座面最大高度：0.95 mm
最大供电电压 (Vsup)：2.3 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：BALL
端子节距：0.75 mm端子位置：BOTTOM
宽度：7.4 mm

HY62SF16803ASLM-85 数据手册

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HY62SF16803A Series  
512Kx16bit full CMOS SRAM  
Preliminary  
DESCRIPTION  
FEATURES  
The HY62SF16803A is a high speed, super low  
power and 8Mbit full CMOS SRAM organized as  
524,288 words by 16bits. The HY62SF16803A  
uses high performance full CMOS process  
technology and is designed for high speed and  
low power circuit technology. It is particularly well-  
suited for the high density low power system  
application. This device has a data retention  
mode that guarantees data to remain valid at a  
minimum power supply voltage of 1.2V.  
·
·
·
Fully static operation and Tri-state output  
TTL compatible inputs and outputs  
Battery backup(LL/SL-part)  
- 1.2V(min) data retention  
Standard pin configuration  
- 48-uBGA  
·
Product  
No.  
HY62SF16803A  
HY62SF16803A-I 1.7~2.3 70/85/100  
Note 1. Blank : Commercial, I : Industrial  
2. Current value is max.  
Voltage  
(V)  
1.7~2.3 70/85/100  
Speed  
(ns)  
Operation  
Current/Icc(mA)  
Standby Current(uA)  
Temperature  
(°C)  
0~70  
-40~85(I)  
LL  
25  
25  
SL  
8
8
3
3
PIN CONNECTION ( Top View )  
BLOCK DIAGRAM  
A1,A2  
A4,A6~A7  
A9  
/LB /OE A0 A1 A2 NC  
IO9 /UB A3 A4 /CS IO1  
IO10 IO11 A5 A6 IO2 IO3  
Vss IO12 A17 A7 IO4 Vcc  
Vcc IO13 Vss A16 IO5 Vss  
IO15 IO14 A14 A15 IO6 IO7  
IO16 NC A12 A13 /WE IO8  
A18 A8 A9 A10 A11 NC  
ROW  
DECODER  
I/O1  
I/O8  
I/O9  
I/O16  
A12  
A15~A18  
A8  
A10  
A13  
A14  
MEMORY ARRAY  
512K x 16  
A0  
A3  
A5  
A11  
/CS  
/OE  
/LB  
/UB  
/WE  
PIN DESCRIPTION  
Pin Name  
/CS  
/WE  
/OE  
/LB  
Pin Function  
Chip Select  
Write Enable  
Output Enable  
Lower Byte Control(I/O1~I/O8)  
Pin Name  
Pin Function  
Data Inputs / Outputs  
Address Inputs  
Power(1.7V~2.3V)  
Ground  
I/O1~I/O16  
A0~A18  
Vcc  
Vss  
/UB  
Upper Byte Control(I/O9~I/O16) NC  
No Connection  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev.03 /Jun. 2000  
Hyundai Semiconductor  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HY62SF16804A HYNIX

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