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HY62SF16403ASLM-12

更新时间： 2024-02-12 00:10:13

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x16 SRAM

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HY62SF16403ASLM-12 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	VFBGA, BGA48,6X8,30	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	120 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e1	长度：	8.4 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	0.95 mm	最小待机电流：	1.2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	7.2 mm	Base Number Matches：	1

HY62SF16403ASLM-12 数据手册

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HY62SF16403A Series

TIMING DIAGRAM

READ CYCLE 1 (Note 1,4)

tRC

ADDR

/CS

tAA

tACS

tOH

tCHZ(3)

tBA

/UB ,/ LB

/OE

tBHZ(3)

tOE

tOLZ(3)

tBLZ(3)

tOHZ(3)

tCLZ(3)

Data

High-Z

Out

Data Valid

READ CYCLE 2 (Note 1,2,4)

tRC

ADDR

tAA

tOH

Data

Previous Data

Out

Data Valid

READ CYCLE 3(Note 1,2,4)

/CS

/UB, /LB

tACS

tCLZ(3)

tCHZ(3)

Data

Out

Data Valid

Notes:

1. A read occurs during the overlap of a low /OE, a high /WE, a low /CS and /UB and/or /LB .

2. /OE = VIL

3. Transition is measured + 200mV from steady state voltage.

This parameter is sampled and not 100% tested.

4. /CS in high for the standby, low for active

/UB and /LB in high for the standby, low for active

Rev.11 / Jun.01

1...3 4 567 8 9 10

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