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HY62SF16403ASLM-12

更新时间： 2024-01-07 07:56:02

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其他 - ETC		内存集成电路静态存储器
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x16 SRAM

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HY62SF16403ASLM-12 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	VFBGA, BGA48,6X8,30	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	120 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e1	长度：	8.4 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	0.95 mm	最小待机电流：	1.2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	7.2 mm	Base Number Matches：	1

HY62SF16403ASLM-12 数据手册

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HY62SF16403A Series

WRITE CYCLE 1 (1,4,8) (/WE Controlled)

tWC

tCW

ADDR

tWR(2)

/CS

tAW

tBW

/UB,/LB

tWP

/WE

tAS

tDW

Data Valid

tDH

Data In

High-Z

tWHZ(3,7)

(5)

(6)

tOW

Data

Out

WRITE CYCLE 2 (Note 1,4,8) (/CS Controlled)

tWC

ADDR

tAS

tWR(2)

tCW

/CS

tAW

tBW

/UB,/LB

/WE

tWP

tDW

Data Valid

tDH

High-Z

Data In

High-Z

Data

Out

Rev.11 / Jun.01

1...4 5 678 9 10

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