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HY62SF16403ALLM-10I

更新时间: 2024-01-11 17:33:48
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 188K
描述
x16 SRAM

HY62SF16403ALLM-10I 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:VFBGA, BGA48,6X8,30针数:48
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
Is Samacsys:N最长访问时间:100 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PBGA-B48
JESD-609代码:e1长度:8.4 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:48字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:VFBGA
封装等效代码:BGA48,6X8,30封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行:PARALLEL
电源:1.8 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:0.95 mm最小待机电流:1.2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.02 mA
最大供电电压 (Vsup):2.3 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN SILVER COPPER端子形式:BALL
端子节距:0.75 mm端子位置:BOTTOM
宽度:7.2 mmBase Number Matches:1

HY62SF16403ALLM-10I 数据手册

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HY62SF16403A Series  
WRITE CYCLE 1 (1,4,8) (/WE Controlled)  
tWC  
tCW  
ADDR  
tWR(2)  
/CS  
tAW  
tBW  
/UB,/LB  
tWP  
/WE  
tAS  
tDW  
Data Valid  
tDH  
Data In  
High-Z  
tWHZ(3,7)  
(5)  
(6)  
tOW  
Data  
Out  
WRITE CYCLE 2 (Note 1,4,8) (/CS Controlled)  
tWC  
ADDR  
tAS  
tWR(2)  
tCW  
/CS  
tAW  
tBW  
/UB,/LB  
/WE  
tWP  
tDW  
Data Valid  
tDH  
High-Z  
Data In  
High-Z  
Data  
Out  
Rev.11 / Jun.01  
6