Datasheet > HY62SF16403ALLM-85

HY62SF16403ALLM-85

更新时间： 2024-02-29 15:40:31

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HY62SF16403ALLM-85 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	VFBGA, BGA48,6X8,30	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	85 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e1
长度：	8.4 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,30
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	0.95 mm
最小待机电流：	1.2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.02 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	7.2 mm
Base Number Matches：	1

HY62SF16403A Series

256Kx16bit full CMOS SRAM

Document Title

256K x16 bit 1.7 ~ 2.3V Super Low Power FCMOS Slow SRAM

Revision History

Revision No History

Draft Date

Remark

Final

Icc1 Value change.

30mA -> 20mA

Nov.22.2000

Marking Information add

Dec.18.2000

Final

tBLZ / tOLZ value is changed

Output Load is redefined

Isb, Isb1, Vdr, Iccdr are redefined

Changed Logo

Mar.23.2001

Jun.07.2001

Final

Changed Isb1 values

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Electronics does not assume any responsibility

for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev.11 / Jun.01

Hynix Semiconductor

12 3 4 5 6 7...10

下载PDF