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HY62LF16806A-DMC

更新时间: 2024-11-13 04:44:07
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 217K
描述
512Kx16bit full CMOS SRAM

HY62LF16806A-DMC 数据手册

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HY62LF16806A Series  
512Kx16bit full CMOS SRAM  
Document Title  
512K x16 bit 2.5V Super Low Power Full CMOS slow SRAM  
Revision History  
Revision No History  
Draft Date  
Remark  
00  
01  
Initial Draft  
Apr.10.2001 Preliminary  
Apr.28.2001  
Change Logo  
- Hyundai à Hynix  
02  
Change DC Parameter  
Jan.28.2002  
- Isb1(LL) : 30uA à 25uA  
- Isb1(Typ) : 8uA à 1uA  
- Icc1(1us) : 5mA à 4mA  
Change Data Retention  
- IccDR(LL) : 25uA à 15uA  
Change AC Parameter  
- tOE  
: 40ns à 35ns@70ns  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor Inc does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev.02 /Jan. 2002  
Hynix Semiconductor  

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